一、 競賽緣起:

全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術,由於矽 (Si)材料已接近其理論上的性能極限,具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及 元件技術,將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院與台灣經濟研究院 為推廣高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發,於 2015 年一同成立高功率元件應用 研發聯盟,為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材 料及高功率模組電力電子應用相關研究,將於 2021 功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元 件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽,期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。

二、 主辦單位:高功率元件應用研發聯盟

三、 協辦單位:國家中山科學研究院、台灣經濟研究院

四、 時間:110 年 10 月 27 日(三)

五、 地點:台北國際會議中心—102 會議室(臺北市信義路五段 1 號)

六、 報名資格:全國大專院校大學生及碩、博士生(含 110 學年度畢業)

七、 競賽網站連結:https://2021postercompetition.webnode.tw/

 

2021國際論壇學生論文海報競賽徵稿函.pdf